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高溫反偏試驗(yàn)（High Temperature Reverse Bias Test，簡(jiǎn)稱HTRB）是一種用于評(píng)估半導(dǎo)體器件可靠性的重要測(cè)試方法。該試驗(yàn)通過在高溫條件下施加反向電壓，觀察器件隨時(shí)間增加的漏電流變化，以判斷其是否會(huì)出現(xiàn)失效。此測(cè)試適用于多種功率半導(dǎo)體器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、雙極型晶體管（BJT）、硅控整流器（SCR）以及GaN基器件等。

HTRB測(cè)試的關(guān)鍵要素可以概括為以下三個(gè)方面：

1、溫度設(shè)置：測(cè)試溫度的設(shè)定需依據(jù)被測(cè)器件的材料特性和相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。例如，肖特基二極管可能在100℃下進(jìn)行測(cè)試，而玻璃鈍化器件的測(cè)試溫度可能達(dá)到150℃。另外，根據(jù)采用的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，如JESD22-A108，測(cè)試溫度可能設(shè)定為125℃、150℃或175℃。當(dāng)前，測(cè)試溫度的設(shè)定參照多種標(biāo)準(zhǔn)，包括美軍標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、JEDEC、IEC、AEC標(biāo)準(zhǔn)以及企業(yè)自定義標(biāo)準(zhǔn)。

2、反向電壓的確定：HTRB測(cè)試中施加的反向電壓通?；谄骷念~定耐壓值，一般取其80%作為試驗(yàn)電壓。結(jié)合高溫環(huán)境，測(cè)量器件的漏電流，以此來評(píng)估其長(zhǎng)期穩(wěn)定性及可靠性。

3、測(cè)試持續(xù)時(shí)間：標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試持續(xù)時(shí)間包括168小時(shí)、500小時(shí)和1000小時(shí)等，但實(shí)際測(cè)試時(shí)長(zhǎng)會(huì)根據(jù)用戶的具體需求而定。對(duì)于要求更為嚴(yán)格的應(yīng)用，如汽車電子或軍工領(lǐng)域，測(cè)試條件和持續(xù)時(shí)間會(huì)更加苛刻，以確保篩選出更高可靠性的芯片或器件。

通過上述三個(gè)關(guān)鍵方面的綜合考量，高溫反偏試驗(yàn)?zāi)軌蛉嬖u(píng)估功率半導(dǎo)體器件在高溫和長(zhǎng)時(shí)間工作條件下的性能穩(wěn)定性。此外，這種測(cè)試對(duì)老化板和老化測(cè)試座的耐高溫性能和耐久性也提出了更高要求。

金凱博碳化硅SiC車規(guī)級(jí)動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)具有80個(gè)測(cè)試通道、每個(gè)通道獨(dú)立控制；實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果，生成測(cè)試報(bào)告；具有防燙、過流、過壓保護(hù)；支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表等眾多優(yōu)勢(shì)性能。并具有高溫高壓高頻高精度脈沖源：dv/dt>50v/ns、頻率50KHz；高精度測(cè)試：電流分辨率10pA，電壓分辨率100nV；多參數(shù)測(cè)量：Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、lgss漏電流、ldss漏電流、溫度，功能完備并有可擴(kuò)展性。